DataLife Engine - Softnews Media Group

Основные тайминги (Primary Timings)

Вторичные тайминги (Secondary Timings)

tRC (Row Cycle Time) — Полный цикл работы строки от активации до восстановления. Рассчитывается как tRAS+tRP. Влияние на скорость: 85%

tRRD_S (RAS to RAS Delay Short) — Минимальное время между командами активации разных групп банков (Bank Groups). Влияние на скорость: 90% (критичен для работы tFAW)

tRRD_L (RAS to RAS Delay Long) — Задержка между активациями внутри одной группы банков. Влияние на скорость: 60%

tFAW (Four Activate Window) — Временное окно, в течение которого разрешено не более 4 активаций строк. Влияние на скорость: 95% (сильно ограничивает пропускную способность при высоких значениях)

tWTR_S (Write to Read Delay Short) — Задержка между записью и чтением в разных группах банков. Влияние на скорость: 30%

tWTR_L (Write to Read Delay Long) — Задержка между записью и чтением в одной группе банков. Влияние на скорость: 50%

tWR (Write Recovery Time) — Время, необходимое для стабилизации данных в ячейках после записи перед закрытием строки. Влияние на скорость: 45%

tMAW (Maximum Activate Window) / MAC (Maximum Activate Count) — Параметры защиты от Target Row Refresh (предотвращение Rowhammer). Определяют лимиты активаций строк. Влияние на скорость: 5% (влияет в основном на стабильность и циклы регенерации)

trdrdSCL (Read to Read Same Chiplet Level) — Задержка между последовательными операциями чтения в одной группе банков. Влияние на скорость: 95% (один из самых важных параметров для систем на базе AMD Ryzen)

twrwrSCL (Write to Write Same Chiplet Level) — Аналогичная задержка для операций записи. Влияние на скорость: 95%

tRFC (Refresh Cycle Time) — Время, затрачиваемое на один цикл регенерации заряда в ячейках. Влияние на скорость: 95% (напрямую определяет общую задержку системы (Latency))

tRFC2 / tRFC4 — Сокращенные циклы регенерации для работы при повышенных температурах (стандарт DDR4). Влияние на скорость: 10% (если tRFC уже настроен, эти параметры почти не дают прироста)

tCWL (CAS Write Latency) — Задержка от подачи команды записи до начала передачи данных. Обычно равен tCL или tCL−1. Влияние на скорость: 40%

tRTP (Read to Precharge) — Интервал между командой чтения и командой закрытия строки (Precharge). Влияние на скорость: 40%

tRDWR (Read to Write Delay) — Время на переключение шины данных с режима чтения на режим записи. Влияние на скорость: 75%

tWRRD (Write to Read Delay) — Время на переключение шины с записи на чтение. Влияние на скорость: 40%

tWRWR_SC (Same Chip) — Минимальный интервал между записями на одном физическом чипе. Влияние на скорость: 35%

tWRWR_SD (Same DIMM) — Интервал между записями на разные ранги одного модуля. Влияние на скорость: 30%

tWRWR_DD (Different DIMM) — Интервал между записями на разные модули памяти. Влияние на скорость: 25%

tRDRD_SC / SD / DD — Аналогичные задержки для операций чтения (Same Chip, Same DIMM, Different DIMM). Влияние на скорость: 35%

tCKE (Clock Enable) — Время, необходимое для выхода памяти из режимов энергосбережения. Влияние на скорость: 5%

ProcODT (Processor On-Die Termination) — Сопротивление терминации сигнала на стороне процессора в Омах (Ω). Влияние на скорость: 0% (напрямую на скорость не влияет, но определяет, запустится ли память на высокой частоте вообще)

или понятнее

tRC — полный цикл строки влияет средне ~35%

tRRD S — задержка между активациями банков внутри группы влияет слабо ~8%

tRRD L — между разными группами банков влияет ~10%

tFAW — окно активации 4 банков ограничитель параллелизма влияет ~15%

tWTR S — задержка запись → чтение внутри группы влияет ~10%

tWTR L — запись → чтение между группами влияет ~12%

tWR — время восстановления после записи влияет ~20%

tMAW MAC — контроль окна активаций почти не влияет ~3%

tRDRD SCL — задержка чтение → чтение влияет ~18%

tWRWR SCL — запись → запись влияет ~18%

tRFC — refresh задержка сильное влияние ~40%

tRFC2 — дополнительный refresh влияет ~15%

tRFC4 — дополнительный refresh влияет ~10%

tCWL — latency записи влияет ~30%

tRTP — чтение → precharge влияет ~12%

tRDWR — чтение → запись влияет ~20%

tWRRD — запись → чтение влияет ~20%

tWRWR SC — запись → запись same chip влияет ~15%

tWRWR SD — запись → запись same dimm влияет ~15%

tWRWR DD — запись → запись разные dimm влияет ~12%

tRDRD SC — чтение → чтение same chip влияет ~15%

tRDRD SD — чтение → чтение same dimm влияет ~15%

tRDRD DD — чтение → чтение разные dimm влияет ~12%

tCke — управление сигналом CKE почти не влияет ~5%

ProcODT — сопротивление шины сильно влияет на стабильность и косвенно на скорость ~25%

РАЗГОН

Золотая связка (Bandwidth Boost)

tRRD_S / tRRD_L / tFAW: 4 / 4 / 16

Это фундамент. Если стоит авто или высокие значения, пропускная способность режется в разы. 4-4-16 — стандарт для любого качественного конфига DDR4.

Убийцы задержки (Latency Killers)

tRFC: чем ниже, тем лучше

Самый важный вторичный тайминг. На Samsung B-die можно жать до 260–300, на Micron/Hynix — 450–550. Напрямую убирает "затупы" системы.

tREFI: 65535 (или максимум)

Параметр отвечает за интервал между регенерацией. Максимальное значение заставляет память реже прерываться на "самоочистку", что дает огромный буст в плавности (0.1% FPS). Требует хорошего охлаждения.

Что такое tREFI и где его искать
tREFI (Refresh Interval) — это время, в течение которого ячейки памяти удерживают заряд до следующей команды регенерации.

Суть: Чем выше это число, тем реже память отвлекается на "подзарядку" и тем дольше она доступна для передачи данных.

На AMD: Плохие новости. В большинстве биосов на платформе AM4 этого параметра просто нет. AMD жестко зашивает его в зависимости от температуры и частоты для стабильности.

Иные названия: * Refresh Interval

tREF

В редких случаях скрыт в подразделе Memory Enclosure или AMD CBS.

Важно: Если его нет в биосе, его можно увидеть через утилиту ZenTimings, но изменить программно чаще всего не получится.

Секретное оружие Ryzen (SCL Twins)

trdrdSCL / twrwrSCL: 2 / 2 или 4 / 4

Если у тебя AMD — это ключевые тайминги. Снижение с авто (обычно там 12+) до 2 или 4 дает колоссальный прирост в чтении/записи и работе L3 кэша. 

Эффективность шины (Turnaround Timings)

tRDWR: 8–10

tWRRD: 1–4

Регулируют скорость переключения между чтением и записью. Чем они ниже, тем плотнее поток данных. На Intel часто удается поставить 8 / 1, на AMD значения обычно выше (10 / 3 или 10 / 4).

Добивание хвостов

• tWR: 10–12 (Многие ставят 24+, что сильно замедляет запись).

• tRTP: 6–8 (Должен быть в два раза меньше tWR для стабильности).

• tCWL: = tCL (или tCL - 1). Лишняя единица здесь — это лишний наносекундный простой при записи.

Итоговый "Имба-сет" для проверки: